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钙锶铋钛铁电薄膜：择优取向调控、制备工艺与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对电子材料的性能要求日益提高。铁电薄膜作为一类重要的功能材料，由于其独特的铁电、压电、热释电以及电光等特性，在非易失性铁电随机存取存储器（FeRAM）、传感器、驱动器、高频滤波器和电光调制器等领域展现出了巨大的应用潜力，成为了材料科学与工程领域的研究热点之一。

铋层状钙钛矿结构铁电材料（BLSFs）作为铁电材料家族中的重要一员，具有较高的居里温度、较低的介电损耗以及良好的抗疲劳性能，在铁电随机存储器、高温高频铁电压电器件和高密度电容器等方面具有广阔的应用前景，受到了材料界的广泛关注。钙锶铋钛（Ca?Sr???Bi?Ti?O??，简称CSBT）铁电薄膜是铋层状钙钛矿结构铁电材料的典型代表之一，它综合了SrBi?Ti?O??（SBTi）的较高剩余极化强度和CaBi?Ti?O??（CBTi）的较高居里温度的优点，同时通过调整钙（Ca）和锶（Sr）的比例，可以在一定范围内调控材料的居里温度和铁电性能，以满足不同应用场景的需求。例如，在高温环境下工作的电子器件，需要材料具有较高的居里温度以保证其性能的稳定性，而CSBT铁电薄膜在这方面具有潜在的应用价值。

此外，铋层状钙钛矿结构的各向异性决定了其铁电性能与其晶粒取向密切相关。对于CSBT（m=4）而言，制备a