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半导体材料笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。下列每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在括号内。）

1.本征硅在室温下主要导电的载流子是：

(A)离子化受主杂质产生的空穴

(B)离子化受主杂质产生的电子

(C)离子化施主杂质产生的空穴

(D)离子化施主杂质产生的电子

2.在N型半导体中，掺入足够高的受主杂质浓度，其费米能级将：

(A)靠近导带底

(B)靠近价带顶

(C)接近禁带中部

(D)靠近N型半导体本征费米能级

3.对于理想PN结，在零偏压（V=0）下，耗尽层厚度：

(A)为零

(B)最大

(C)取决于结面积

(D)取决于温度

4.当PN结反偏时，其耗尽层的主要特点是：

(A)两侧均为N型材料，耗尽层内只有电子

(B)两侧均为P型材料，耗尽层内只有空穴

(C)P区为空穴主导，N区为电子主导，耗尽层内载流子极少

(D)P区和N区分别被耗尽，耗尽层内存在由扩散引起的反向电场

5.在半导体中，杂质能级离导带底的能量越低，该杂质作为：

(A)受主杂质的可能性越大

(B)