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二维材料研发工程师考试试卷及答案

二维材料研发工程师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.石墨烯的理论厚度约为___nm。

2.制备石墨烯的常用化学方法之一是___法。

3.MoS?的晶体结构中，单层由___层原子构成。

4.用于观察二维材料原子结构的表征技术是___显微镜。

5.石墨烯室温下的载流子迁移率可高达___cm2/(V·s)。

6.二维过渡金属硫族化合物（TMDs）的通式通常为___。

7.机械剥离法制备二维材料常用的工具是___。

8.单层MoS?具有___光致发光特性。

9.氧化石墨烯还原后得到的材料是___。

10.二维材料的空位缺陷属于___缺陷。

单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种方法不能制备石墨烯？（）

A.CVD法B.机械剥离法C.水热法D.氧化还原法

2.单层石墨烯的电子结构特点是？（）

A.直接带隙B.间接带隙C.零带隙D.宽禁带

3.MoS?单层与多层相比，带隙变化是？（）

A.增大B.减小C.不变D.不确定

4.用于表征二维材料厚度的技术是？（）

A.AFMB.XRDC.RamanD.XPS

5.下列哪种材料不属于TMDs？（）

A.WS?B.BNC.MoSe?D.TiS?

6.石墨烯在空气中稳定存在的温度上限约为？（）

A.200℃B.400℃C.600℃D.800℃

7.制备大面积石墨烯常用的基底是？（）

A.硅片B.铜