半导体先进节点选择性外延生长：减压化学气相沉积设备与硅锗 硅磷源的选择性与缺陷竞争.docx

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半导体先进节点选择性外延生长：减压化学气相沉积设备与硅锗/硅磷源的选择性与缺陷竞争

摘要

本报告聚焦半导体先进节点制造中，选择性外延生长（SEG）工艺在源漏区嵌入SiGe/SiP的关键竞争领域，深度剖析应用材料（AppliedMaterials）与ASMInternational在减压化学气相沉积（RP-CVD）设备市场的技术对决。核心发现表明，该细分市场呈现高度寡占格局，应用材料与ASM合计占据超过85%的市场份额，竞争焦点已从单纯的设备产能转向“选择性-缺陷率-生长速率”的工艺三角权衡。

报告遵循“背景扫描→格局研判→对手剖析→策略拆解→优劣势对比→趋势预判”的递进逻