半导体器件第5-18部分:光电器件发光二极管微型发光二极管外延片宏观光致发光的试验方法标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Part5-18:Optoelectronicdevices-Lightemittingdiodes-Testmethodofthemacrophotoluminescenceforepitaxialwafersofmicrolightemittingdiodes
摘要
关键词:微型发光二极管;外延片;宏观光致发光;国际标准;IEC60747-5-18;测试方法;半导体光电器件
Keywords:MicroLightEmittingDiodes;EpitaxialWafers;MacroPhotoluminescence;InternationalStandard;IEC60747-5-18;TestMethod;SemiconductorOptoelectronicDevices
一、引言
1.1立项背景
发光二极管(LED)作为第三代半导体光电器件的典型代表,经过数十年发展已广泛应用于通用照明、显示、信号指示和光通信等领域。近年来,随着显示技术持续向超高分辨率、微小尺寸
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