GBT 45720-2025 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准立项发展报告.docx

半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices—Time-DependentDielectricBreakdown(TDDB)TestforGateDielectricLayers

摘要

随着半导体工艺节点持续微缩至纳米乃至埃米尺度，栅介质层厚度已逼近物理极限，其可靠性问题日益凸显。时间相关介电击穿（Time-DependentDielectricBreakdown,TDDB）作为评估栅介质层长期可靠性的核心试验方法，对于保障集成电路产品的寿命与服役安全具有不可替代的作用。然而，长期以来我国在该领域缺乏统一的国家级试验标准，各企事业单位多参考JEDEC等国际组织规范或企业内控文件，导致试验条件、失效判据与数据外推方法存在显著差异，制约了国产半导体器件的质量一致性与国际互认水平。为填补这一标准空白，国家标准化管理委员会于2025年5月30日批准发布了GB/T45720-2025《半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》，并于2025年9月1日正式实施。该标准系统规定了TDDB试验的术语定义、试验设备要求、样品制备规范、试验条件设置、失效判据以及数据外推方法，构建了覆盖晶圆级与封装级器件、涵盖恒压与恒流