GBT 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验标准立项发展报告.docx

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:BiasTemperatureInstabilityTestforSemiconductorDevices—Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors(MOSFETs)

摘要

关键词：半导体器件；金属氧化物半导体场效应晶体管；偏置温度不稳定性；可靠性试验；国家标准

Keywords:SemiconductorDevices;Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors(MOSFETs);BiasTemperatureInstability(BTI);ReliabilityTest;NationalStandard

一、引言

1.1研究背景

半导体器件是现代电子信息产业的基石，其可靠性水平直接决定了电子系统的整体质量与使用寿命。在各类半导体器件中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）作为集成电路中最基本的单元器件，其性能优劣和可靠性高低对整个芯片乃至系统级产品的表现具有决定性影响。

随着摩尔定律的持续推进，MOSFETs的特征尺寸不断缩小，栅氧化层厚度