GBT 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准立项发展报告.docx

半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Time-DependentDielectricBreakdown(TDDB)TestforIntermetalLayersinSemiconductorDevices

摘要

随着集成电路制程工艺持续向纳米级节点演进，金属层间介质（IMD）的厚度不断减薄，器件工作电场强度显著升高，时间相关介电击穿（TDDB）已成为影响半导体器件长期可靠性的关键失效机理之一。为统一行业内部金属层间介质TDDB评估方法与失效判定准则，解决当前各企业试验条件差异大、数据可比性差等突出问题，国家标准化管理委员会批准发布GB/T45718-2025《半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》。本报告系统阐述了该标准的立项背景、编制原则、主要技术内容及其行业应用价值。标准规定了TDDB试验的试验设备要求、试样制备方法、试验条件设置、数据采集与外推分析方法以及失效判据，适用于集成电路制造领域金属互连结构中介质层的可靠性评估与寿命预测。该标准的发布实施将有效填补我国在半导体器件介质可靠性试验方法领域的标准空白，为集成电路产品的质量控制和可靠性设计提供统一的技术依据，对提升国产半导体器件的国际竞争力具有重要意义。

关键词：半导体