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碳化硅MOSFET在高温环境下的静态与动态特性评估

摘要

以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，正推动功率电子系统向更高温度、更高频率和更高功率密度方向演进。然而，SiCMOSFET在超过175℃的极端高温环境下的静态与动态特性数据仍较为匮乏，制约了其在航空航天、深井钻探等领域的可靠应用。本课题设计并搭建了一套可工作于175℃至200℃的自动化高温测试平台，针对一款商用1200VSiCMOSFET，系统评估了其导通电阻、阈值电压及开关特性随温度的变化规律，并建立了温度依赖模型。

论文遵循“需求分析—总体设计—详细设计—平台实现—特性测试—建模分析”的工程递进思路。首先，从高温应用场景出发，明确了测试精度、温度范围和安全保护等需求；随后，设计了集成精密加热温控、静态参数自动测量与双脉冲动态测试的硬件架构；接着，详细阐述了各模块的电路实现、控制算法与数据采集流程；最后，在该平台上完成了器件在175℃至200℃关键温度点的静态与动态参数测试，并依据实验数据构建了温度依赖的经验模型。本设计的核心特色在于，通过主动温控与低寄生参数夹具设计，实现了对高温下器件特性的精准捕获，为SiCMOSFET的高温可靠性评估提供了实用的测试方案与数据支撑。

第一章绪论

1.1研究背景

随着电动汽车、可再生能源并网、油气钻探以及航空航天等领域的快速发展，电力电子系统的工作环