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Infineon技术手册IPTC026N12NM6说明书.pdf

Infineon技术手册IPTC026N12NM6说明书.pdf

    英飞凌IPTC026N12NM6功率晶体管

    英飞凌MOSFET功率晶体管

    英飞凌IPTC026N12NM6OptiMOSTM6120V功率晶体管

    特性

    •N沟道，标准电平

    •极低的导通电阻RDS(on)

    •出色的栅极电荷xRDS(on)乘积(FOM)

    •极低的反向恢复电荷(Qrr)

    •高等级雪崩能量

    •工作温度175°C

    •针对高频开关和顶部散热进行了优化

    •无铅镀层；符合RoHS标准

    •符

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