150V N沟道MOSFET特性与应用概述.pdfVIP

FDP2572

N沟道PowerTrench®

MOSFET

150

伏，29

安，54

毫Ω

特性

•RDS(导通)

= 45 mΩ(典型值)

@

VGS

= 10 V,

ID

= 9 A

•QG(总)

= 26 nC

(典型值)@VGS

= 10 

V

低米勒电荷

•低Qrr体二极管

•UIS能力（与重复脉冲）

应用领域

•家用电器

•同步整流

•电池保护电路

•电机驱动器和不间断电源

•微型能逆变器

FDP2572

N-ChannelPowerTrench®MOSFET

150V,29A,54mΩ

Features

•R  45 mΩ(Typ.)@V  10 V, I  9 A

DS(on)GSD

•Q  26 nC(Typ.)@V  10 V