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芯片工艺笔试题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在芯片制造流程中，以下哪个步骤通常位于光刻工艺之后，用于形成具体的器件结构特征？

A.离子注入

B.薄膜沉积

C.氧化

D.腐蚀

2.下列哪种光源通常用于深紫外光刻（DUV）系统，并已广泛应用于先进节点？

A.硬件加速等离子体（HARP）光源

B.碘镓砷（GaAs）激光器

C.硫化锌（ZnS）激光器

D.准分子激光器

3.在光刻工艺中，关键尺寸（CD）通常指的是什么？

A.光刻胶的厚度

B.晶圆的直径

C.最终器件特征的最小线宽或开口尺寸

D.光刻机的焦距

4.下列哪种刻蚀技术利用物理轰击和化学反应相结合的方式去除材料？

A.等离子体增强化学刻蚀（PECVD）

B.反应离子刻蚀（RIE）

C.等离子体化学刻蚀（PCVD）

D.热干法刻蚀

5.在薄膜沉积工艺中，原子层沉积（ALD）技术的主要优势之一是？

A.沉积速率非常快

B.能够在复杂三维结构上沉积均匀薄膜

C.只能沉积单一类型的薄膜

D.对设备要求低，成本低廉

6.离子注入工艺中，改变以下哪个