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2013年3月
FQP30N06LN沟道QFET®
MOSFET
60
V,
32
A,
35
m
产品描述特性
这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆®专有的平•32A，60
V，导通电阻
=35m(最大值)
@
VGS
=10
面条带和DMOS技术制造。该先进MOSFET技术经特殊优化，V，ID
=16A
可降低导通电阻，并卓越的开关性能与高雪崩能量承受•低栅极电荷（典型值15
nC）
能力。该器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制•低反向传输电容（典型值50
pF）
及可变开关电源应用。
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