CN119126511A 套刻误差标记图形及形成方法、测量方法 （杭州积海半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119126511A

(43)申请公布日2024.12.13

(21)申请号202411604225.8

(22)申请日2024.11.12

(71)申请人杭州积海半导体有限公司

地址311225浙江省杭州市钱塘新区义蓬

街道江东大道3899号709-7号

(72)发明人韦斌张业利

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

G03F9/00(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图8页

(54)发明名称

套刻误差标记图形及形成方