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高性能沟道MOSFET器件.pdf

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    仙童

    2013年3月

    FQP32N20C

    /

    FQPF32N20C

    N沟道QFET

    MOSFET

    200

    V，28

    A，82

    毫Ω

    描述此为N沟道增强型

    MOSFET

    采用Fairchild

    Semiconductor®的专有平面条纹和DMOS技术制造了nt模式功

    率MOSFET。这种先进的MOSFET技术特别设计用于降低导通电阻，并优异的

    开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、主

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