Mott–Schottky莫特肖特基专题.docxVIP

Mott–Schottky莫特肖特基专题

当半导體与电解质溶液接触时，界面两侧的费米能级差会驱动电荷发生定向转移，最终在界面区域形成具有空间电荷分布的双电层结构——这一结构是光电催化、电化学传感、能源存储等诸多界面过程的核心反应场所，其载流子浓度、能带弯曲程度、平带电位等关键参数直接决定了器件的能量转换效率与反应选择性。1957年，英国物理学家莫特（NevillFrancisMott）和德国物理学家肖特基（WalterSchottky）在分别独立研究金属-半导体接触与半导体-电解质界面电荷分布的基础上，共同提出了通过界面微分电容与外加偏压的定量关联来解析空间电荷层参数的经典方法，即莫特肖