FQT4N20L型沟道MOSFET技术规格手册.pdfVIP

FQT4N20L2013年3月

®

N沟道QFETMOSFET200

V,

0.85

A,

1.40

Ω

描述特性

0=10=0

这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆®专有的平•.85

A,

200

V,

RDS(导通)=1.35

Ω(典型值)@VGSV,

ID.425

A

面条状和DMOS技术制造。这项先进的MOSFET技术经过•低栅极电荷（典型值4

nC）

特别优化，可降低导通电阻，并卓越的开关性能及高•低Crss（典型值6

pF）

雪崩能量承受能力。该器件适用于开关电源、有源功率因•100%

经过雪崩测试

数校正（PFC）和电子镇流器。•低电平门极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作