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单片集成与多芯片混合集成在硅光技术中的路线选择：基于成本与性能的权衡分析

摘要

硅光技术作为突破摩尔定律与电子互连带宽瓶颈的关键路径，正经历从单一无源器件向高度集成的光电芯片演进的关键阶段。本报告聚焦硅光技术中两大主流集成路线：将激光器、放大器等有源器件单片集成在硅基底上的技术路径，与通过Chiplet形式多芯片混合集成的技术路径，深入剖析两者在成本结构与性能表现上的权衡机制。

报告从宏观环境与政策导向切入，梳理全球硅光产业格局，重点分析产业链价值分布与供需错配现状。在竞争格局层面，本报告将市场玩家划分为单片集成主导派、混合集成主导派及晶圆代工赋能派，对比其技术壁垒与商业化进程。基于对数据中心、电信网络及自动驾驶等下游核心需求的拆解，明确不同应用场景对功耗、带宽、成本及良率的差异化要求。

核心发现表明，单片集成在长期大规模量产中具有极致成本优势，但当前面临异质材料外延良率低、热光串扰严重等性能瓶颈；混合集成则凭借灵活的工艺选择与优异的器件性能，成为当前800G及以上高速光模块的主流方案，但封装测试成本居高不下。预测性分析指出，未来3至5年内，混合集成将主导高端市场，而单片集成将在中低速率及消费级场景逐步渗透。

本报告建议，产业链企业应根据自身资源禀赋选择技术路线：具备先进制程掌控力的IDM企业应加大对异质单片集成的研发投入；而光模块及封装企业则应深耕光电共封装及3