高性能HEXFET功率MOSFET技术.pdfVIP

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  • 2026-09-01 发布于北京
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PD‑91279E

IRF3205

®

HEXFET功率MOSFET

先进工艺技术超低导通电阻D

V=55V

动态dv/dt额定值175°C工作DSS

温度快速开关完全雪崩额定

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