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基于第一性原理：硫化镉团簇与S掺杂纤锌矿ZnO的微观特性与应用潜力探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，半导体材料作为电子学、光学和能源等领域的关键基础材料，发挥着不可或缺的作用。从日常生活中的智能手机、电脑，到高端科技领域的5G通信、人工智能、新能源汽车和量子计算，半导体材料无处不在，它们是推动这些技术进步的核心力量。例如，在集成电路中，半导体材料制成的晶体管和芯片实现了信息的高速处理与存储，让计算机的运算速度不断提升，体积却越来越小；在光电子领域，半导体激光器和发光二极管（LED）广泛应用于通信、照明和显示等方面，为人们带来了高效、节能的照明方式和清晰、逼真的显示效果；在能源领域，基于半导体材料的太阳能电池将太阳能转化为电能，为解决全球能源危机和环境污染问题提供了重要途径。

硫化镉团簇作为一种典型的半导体纳米材料，具有独特的量子尺寸效应和表面效应，使其在光电领域展现出优异的性能。随着团簇尺寸的减小，其能级结构发生显著变化，带隙增大，导致光吸收和发射特性的改变，这种特性使得硫化镉团簇在光催化、光电探测器和发光二极管等方面具有潜在的应用价值。在光催化分解水制氢中，硫化镉团簇能够利用其独特的光学性质，有效地吸收光能并将其转化为化学能，促进水的分解，产生清洁能源氢气。

纤锌矿ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有宽禁带（约3.37eV