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硅光芯片的制造工艺与性能优势解析

一、引言

进入数字经济时代，全球数据总量呈现爆炸式增长态势，特别是生成式人工智能技术的快速普及，推动算力需求持续攀升，作为信息传输与处理核心载体的硅基微电子芯片，在沿着摩尔定律演进至先进工艺节点后，正逐步逼近物理极限：一方面，晶体管尺寸持续缩小带来的漏电问题愈发突出，芯片功耗密度不断提升，形成难以突破的“功耗墙”；另一方面，芯片之间、服务器之间的传统铜互连带宽增长速度远落后于算力增长速度，高频信号下铜互连的损耗、串扰、延迟问题成为制约算力进一步提升的“带宽墙”。在这一背景下，硅基光电子技术（简称硅光技术）作为以光子为信息载体、依托成熟硅基互补金属氧化物半导体（