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2026年最新半导体班面试题及答案

基础理论类

1.2026年量产的1.4nm工艺普遍采用环绕栅极（GAA）架构的升级版本forksheet结构，对比传统多桥沟道场效应管（MBCFET），forksheet的核心结构差异和性能增益是什么？

答案：forksheet结构的核心差异是在同层排布的N型和P型晶体管之间引入了一层厚度仅5nm的介电隔离墙，替代了传统MBCFET中N/P管之间的dummy栅极隔离结构。性能增益体现在三个维度：第一是芯片密度提升，N/P管的沟道间距可从30nm缩小到18nm，标准单元面积缩小32%，同面积下晶体管集成度提升40%；第二是性能与功耗优化，介电隔离墙完全消除了N/P管之间的漏电流串扰，器件关态漏电流降低40%，相同性能下功耗降低15%，相同功耗下工作频率提升12%；第三是工艺兼容性提升，forksheet的工艺流程与现有GAA工艺重合度达85%，不需要完全更换制程设备，产线改造成本仅为CFET架构的20%，是1.4nm节点量产的最优性价比方案。

2.宽禁带半导体中，氧化镓（β-Ga?O?）被认为是下一代功率半导体核心材料，对比碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），它的核心优劣势分别是什么？

答案：核心优势包括三点：一是材料本征性能突出，禁带宽度达4.9eV，击穿场强达8MV/cm，是SiC的2.2倍、GaN的1.6倍，Baliga优值是SiC的4.