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基于第一性原理探究Ag掺杂ZnO的结构与性能演变

一、引言

1.1ZnO材料概述

ZnO作为一种重要的宽带隙半导体材料，在现代材料科学领域中占据着举足轻重的地位。其晶体结构主要为六方纤锌矿结构，这种结构赋予了ZnO许多独特的物理性质。从电子结构角度来看，ZnO具有约3.37eV的宽带隙，这意味着它能够在紫外光区域表现出良好的光学响应，为其在紫外光电器件中的应用奠定了基础。例如，在紫外探测器的设计中，ZnO的宽带隙特性使其能够有效地吸收紫外光，产生光生载流子，从而实现对紫外光信号的探测。同时，ZnO还具有高达60meV的激子束缚能，这一特性使得它在室温下能够实现有效的激子发射，对于开发高效的发光器件具有重要意义。在发光二极管（LED）的制备中，利用ZnO的激子发射特性，可以实现高效的蓝光、蓝绿光发射，为照明和显示领域带来了新的发展机遇。

ZnO还展现出良好的压电特性。当ZnO受到外力作用时，其内部会产生极化现象，在两个相对的表面上产生符号相反的电荷，这种压电效应使得ZnO在传感器和执行器等领域有着广泛的应用。在压力传感器的制作中，通过将ZnO薄膜沉积在硅梁上，当压力作用于薄膜时，会产生与压力成正比的电信号，从而实现对压力的精确测量。而且，ZnO具有较高的热稳定性和化学稳定性，使其能够在较为恶劣的环境中保持性能稳定，进一步扩大了其应用范围。在