第3章 硅晶圆清洗工艺.pptxVIP

第3章硅晶圆清洗工艺;

3.1集成电路制造过程中的主要污染物;

2.有机物

人体皮肤分泌的油脂、洁净室内的空气、机械设备使用的润滑油、有机硅基真空油脂、光刻胶、清洗溶剂以及其他有机污染物均可能被发现。这些污染物虽然以不同的方式对工艺产生影响，但其主要作用都是形成有机层，从而妨碍清洗剂有效接触晶圆表面。因此，清除有机物通常被视为清洗流程的首要步骤。;

3.金属污染物

金属互连材料常被用于实现独立元件之间的连接。其原理是：通过光刻与刻蚀技术，在绝缘层上精确形成接触孔，随后利用蒸发、溅射或化学气相淀积(CVD)技术沉积金属以构建互连。在构建过程中，首要步骤是对Al-Si、Cu等金属薄膜进行刻蚀处理，随后对沉积的介电层进行化学机械抛光(CMP)以优化表面质量。然而，此工艺过程中可能会引入金属污染物。为消除这些污染物，必须采取适当的清洗步骤。;

4.氧化物

在含有氧气和水分的环境下，硅原子极易发生氧化反应，形成所谓的天然氧化层。鉴于过氧化氢具备显著的氧化特性，使用APM(氨水过氧化氢水混合溶液)和HPM(盐酸过氧化氢水混合溶液)进行清洗后，会在硅表面形成一层化学氧化层，为确保栅极氧化物的品质，清洗晶圆后，必须彻底清除表面的氧化物。此外，化学气相淀积过程中形成的介质层，例如氮化硅和氧化硅，也应当在清洗过程中被有选择性地去除。;

3.2清洗工艺的分类;