第4章 热氧化工艺.pptxVIP

第4章热氧化工艺;

4.1二氧化硅薄膜;

结晶形结构的二氧化硅中所有Si-O四面体在空间排列整齐，如图4-1-1(b)所示的石英晶体(水晶)。无定形(非晶形)结构的二氧化硅中Si-O四面体无规则排列，如图4-1-1(c)所示的热氧化得到的无定形SiO2薄膜结构。采用不同热氧化工艺制备的SiO2，其性质有一定的差异。表4-1-1给出了采用干氧氧化和水汽氧化工艺制备的SiO2的主要物理性质。;;;

在热氧化过程中，Si-SiO2界面处的硅原子会氧化，进而成为SiO2的构成成分，Si-SiO2界面会向着硅材料内部推移。根据质量守恒定律，可以计算出生长厚度为x的氧化层要消耗掉厚度为0.44x的硅层，如图4-1-2所示。;

4.1.2二氧化硅薄膜的用途

二氧化硅薄膜在集成电路制造中应用广泛，典型用途主要包括以下几方面。

(1)栅氧化层：作为MOSFET器件的栅介质，采用干氧氧化制备，如图4-1-3中所示。;

(2)覆盖式场氧化层和局部氧化层(LOCOS)：作为集成电路中MOS晶体管之间的隔离介质，如图4-1-4中所示。;

(3)掺杂阻挡层：通常掺杂剂在氧化层中的移动速度低于在硅中的速度，因此氧化层可作为选区掺杂时扩散掺杂或离子注入掺杂的掩蔽膜，确保氧化层下部的硅没有杂质掺入，如图4-1-5(a)所示。

(4)衬