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离子注入工艺员岗位技能考试试卷及答案

离子注入工艺员岗位技能考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.离子注入剂量的单位是______

2.离子注入能量的常用单位是______

3.为减少沟道效应，离子注入常采用______角度注入

4.离子注入后退火的主要目的是激活杂质和______

5.常用的离子注入掩蔽材料是______

6.离子束流强度的单位是______

7.剂量计算中，剂量等于束流乘以时间再除以______

8.硅中N型掺杂的常用离子是______

9.离子注入靶室真空度通常要求达到______Pa量级

10.离子注入设备中，筛选离子种类的部件是______

答案：

1.atoms/cm2

2.keV

3.7°

4.修复晶格损伤

5.SiO?

6.μA

7.靶面积

8.磷（P）

9.10^-5

10.质量分析器

单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种离子源适合产生高束流离子？（）

A.高频离子源B.考夫曼离子源C.潘宁离子源D.冷阴极离子源

2.沟道效应会导致杂质分布（）

A.变浅B.变深C.均匀D.无变化

3.硅片离子注入后的退火温度一般为（）

A.300-500℃B.600-800℃C.900-1100℃D.1200℃以上

4.下列哪种材料不能作为离子注入掩蔽层？（）

A.SiO?B.光刻胶C.铝膜D.Si?N?

5.剂量均匀性差的主要原因是（）

A