集成电路笔试题库及答案(官方发布).docxVIP

集成电路笔试题库及答案(官方发布)

一、半导体物理与器件基础（共20分）

1.半导体材料中，本征半导体中自由电子和空穴的浓度关系为（）。

A.n=pB.npC.npD.无法确定

答案：A（本征半导体中，自由电子和空穴浓度相等，即n=p）

2.PN结加正向电压时，空间电荷区会（）。

A.变宽B.变窄C.不变D.先变宽后变窄

答案：B（正向偏置时，多数载流子注入，空间电荷区变窄）

3.晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况为（）。

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.两者均正偏D.两者均反偏

答案：A（放大区条件：发射结正偏，集电结反偏）

4.MOS管中，增强型NMOS管的开启电压（Vth）为正，当VGSVth时，漏极电流ID为（）。

A.0B.最大C.零或很小D.随VDS变化

答案：A（增强型NMOS，VGSVth时，沟道未形成，ID≈0）

5.PNP型三极管，其发射极、基极、集电极的电位关系为（）。

答案：集电极电位最高，基极电位居中，发射极电位最低（即VcVbVe）

二、数字电路基础（共25分）

1.与非门的逻辑表达式为（）。

A.Y=A+BB