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2026年半导体物理专业基础试卷真题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

度将其原因是载流子在电场作用下定向运动形成的电流称为电流MOS结构中SiO键的性使得栅电场主要对半导体表面的产生作用三简答题每题分共分简述费米狄拉克分布函数的物理意义解释什么是内建电势并说明其大小受哪些因素影响四计算题每题分共分硅的禁带宽度

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.晶体硅的禁带宽度约为1.12eV，这是由于（）。

A.内禀缺陷导致能带展宽

B.周期性势场对电子能级的影响

C.核心电子的束缚能远大于电子间库仑相互作用

D.硅原子最外层只有3个价电子

2.在N型半导体中，占主导地位的载流子是（）。

A.空穴

subdiffsubLsubnsub计算Lsubnsub需要具体数值但题目给出V正向偏压远大于内建电势可近似认为耗尽层宽度很小扩散长度也小因此扩散电流密度近似为Jsubnsubqnsubisubsubnsu