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硅氧化物拓扑绝缘体表面结构的研究

摘要：在过去的数十年内，对于拓扑性质进行一系列的研究已经成为一个重要的课题。拓扑绝缘体作为一个全新的物质形态近来年引起了人们的广泛专注。本文首先介绍了拓扑绝缘体的由来，简单的介绍了关于量子霍尔效应、量子拓扑霍尔效应、Chern拓扑绝缘体和Z2拓扑绝缘体等概念，对现阶段拓扑绝缘体的研究现况进行一个总结。

同时，从能带理论出发将拓扑这一数学概念与能带理论相结合介绍了拓扑材料表面态的性质。这里，我们重点介绍了硅氧化物拓扑绝缘体的制备及其表面结构特性，并将其应用于硅基发光。在掺杂了较低氧密度的拓扑绝缘体上，其外部发射效率比纯硅的发射效率提高