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2026年春招：工艺整合题库及答案

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一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.工艺整合中光刻工艺的关键参数是（）

A.温度

B.曝光剂量

C.压力

D.湿度

2.用于衡量芯片制造工艺先进程度的主要指标是（）

A.芯片面积

B.晶体管数量

C.制程节点

D.芯片功耗

3.化学机械抛光（CMP）过程的主要作用是（）

A.去除杂质

B.增加厚度

C.表面平坦化

D.改变材料特性

4.离子注入工艺中，用于控制注入离子能量的是（）

A.加速器

B.质量分析器

C.靶室

D.扫描系统

5.在工艺整合中，哪种工艺主要用于形成金属互连层（）

A.氧化

B.扩散

C.物理气相沉积

D.光刻

6.衡量光刻分辨率的指标是（）

A.焦深

B.数值孔径

C.最小线宽

D.曝光时间

7.工艺整合中清洁工艺的主要目的是（）

A.提高产量

B.去除表面污染物

C.降低成本

D.增加芯片性能

8.热退火工艺的主要作用是（）

A.去除应力

B.增加硬度

C.改变颜色

D.提高导电性

9.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀工艺（）

A.