CN119542122A 一种半导体结构及其形成方法 （瑞声科技(新加坡)有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119542122A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411717000.3

(22)申请日2024.11.27

(30)优先权数据

18/946,8832024.11.13US

(71)申请人瑞声科技（新加坡）有限公司

地址新加坡淡滨尼工业湾22号3楼1室

(72)发明人李仲民吴健兴但强黎家健

(74)专利代理机构北京智晨知识产权代理有限

公司11584

专利代理师金英兰

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/32(2006.01)

权利要