高性能CCD图像传感器应用解析.pptVIP

突出特点:以电荷为信号的载体；

工作过程：信号电荷的产生、存放、转移和检测；

基本类型：表面沟道CCD(SCCD)-电荷包存放在半导体和

绝缘体之间的界面，并沿界面转移；

体沟道CCD(BCCD)-电荷包存放在距离半导体

表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一

定方向转移；

4.1电荷存放

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组成CCD的基本单元是MOS(MetalOxideSemiconductor金属－氧化物－半导体)；

CMOS是ComplementaryMetalOxideSemiconductor（互补金属氧化物半导体）

CCD是Charge-coupledDevice（电荷耦合元件）

P型半导体中杂质为周期表中第Ⅲ族的元素，空穴为多数载流子。

4.1电荷存放

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紧密地排列在半导体氧化层表面上的金属电极能够存放和转移电荷。

4.1电荷存放

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4.1电荷存放

伴随电压的增长，耗尽区将继续向半导体体内延伸；

UG大于Uth后，耗尽区的深度与UG成正比；

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4.1电荷存放

表面势伴随栅极电压的增高而增高；

氧化层的厚度约薄，曲线的直线性越好；

表面势表征了耗尽区的深度；

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4.1电荷存放

表面势随反型层电荷密