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150V N沟道功率MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-05 发布于北京
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150V N沟道功率MOSFET技术手册.pdf

    2013年3月

    FDD390N15ALZ

    N沟道PowerTrench®

    MOSFET

    150伏，26安，42毫Ω

    特性描述

    •导通电阻

    =33.4

    毫Ω(典型值)

    @

    VGS

    =10V,

    ID

    =26A该N沟道MOSFET采用飞兆®先进的PowerTrench®工艺制

    •导通电阻

    =42.2

    毫Ω(典型值)

    @

    VGS

    =4.5

    V,

    ID

    =20A造，该工艺经优化可显著降低导通电阻，同时保持卓越的开关性

    能。

    •快速开关速度

    •低栅极电荷，QG

    =17.6

    纳库仑(典型值)

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