集成电路工艺之离子注入.pptVIP

浅结的形成为了抑制MOS晶体管的穿通电流和减小器件的短沟效应，要求减小CMOS的源/漏结的结深形成硼的浅结较困难，目前采用的方法:硼质量较轻，投影射程深，故采用BF2分子注入法F的电活性、B的扩散系数高B被偏转进入主晶轴的几率大降低注入离子的能量形成浅结低能下沟道效应比较明显，且离子的稳定向较差。预先非晶化注B之前，先用重离子高剂量注入，使硅表面变为非晶的表面层。注入后发生了什么………晶格损伤和无定型层靶原子在碰撞过程中，获得能量，离开晶格位置，进入间隙，形成间隙－空位缺陷对;脱离晶格位置的靶原子与其它靶原子碰撞，也可使得被碰靶原子脱离晶格位置。缺陷的存在使得半导体中载流子的迁移率下降，少子寿命缩短，影响器件性能。杂质未激活在注入的离子中，只有少量的离子处在电激活的晶格位置。注入损伤级联碰撞？简单晶格损伤孤立的点缺陷或缺陷群（注入离子每次传递给硅原子的能量约等于移位阈能)局部的非晶区域（单位体积的移位原子数目接近半导体的原子密度)非晶层注入离子引起损伤的积累轻离子注入重离子注入非晶层的形成注入后需要做什么……退火:定义:又叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火作用激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用