CN119852177A 金属层刻蚀方法及半导体工艺设备 （北京北方华创微电子装备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119852177A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311338124.6

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区文昌大道8号

(72)发明人林源为周赐

(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理

有限公司11315

专利代理师周永强

(51)Int.Cl.

H01L21/3213(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

金属层刻蚀方法及半导体工艺设备

(57)摘要

CN119852177A本申请公开了一种金属层刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体工艺及装备领域。一种金属层刻蚀方法包括：执行第一刻蚀步，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，用以刻蚀所述金属层，所述金属层下方设置有氮化物层，且所述氮化物层与所述金属层相接触；检测CN光谱信号的光谱强度，当所述光谱强度的增速加快时，执行第二刻蚀步，向所述反应腔室内通入第二刻蚀气体，用以刻蚀残余的所述金属层及所述氮化物层，所述第二刻蚀气体中含有C元素，所述