CN119852174A 半导体器件的制作方法 （青岛澳柯玛云联信息技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119852174A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311334243.4

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人青岛澳柯玛云联信息技术有限公司

地址266000山东省青岛市黄岛区太行山

路2号

(72)发明人请求不公布姓名

(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限

公司31295

专利代理师刘畅

(51)Int.Cl.

H01L21/28(2006.01)

H01L21/285(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法

(57)摘要

CN119852174A本发明涉及一种半导体器件的制作方法。所述制作方法中，在半导体基片的表面堆叠金属层以及氮化钛层后，先沉积钨层，再进行退火，使所述金属层与含硅导电区发生金属硅化反应，可以避免由于提前退火导致的氮化钛层致密性变差，确保氮化钛层在沉积钨层的工艺中对于工艺气体的阻隔效果，避免工艺气体中含有的氟或其它卤素侵蚀下层材料，从而可以有效地避免产生火山缺陷。所述制作方法拓宽了制作氮化钛层的工艺窗口，有助于提高器件良率，氮化钛层的厚度可以设置得较薄，有助于解决由于关键尺寸缩小而引起的钨填充以及钨层与含硅导电区连接电

CN119852174