光刻技术原理与工艺流程解析.pptVIP

光刻工艺介绍1;GeneralPhotolithographyProcess;涂胶/显影概况;涂胶菜单;前处理（PRIMING）;涂胶前处理（Priming）;HMDS;涂胶（Coating）;☆涂胶的核心在于控制膜厚及其均匀性

影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数：[括号内的值为实际工艺参数设置]

环境温度（23°C)

环境湿度(40%)

排风净压力(5mmaq)

光刻胶温度(23°C+/-0.5）

光刻胶量（1.2-1.5cc)

旋转马达的精度和重复性

回吸量

预旋转速度预旋转时间最后旋转速度最后旋转时间最后旋转加速度

;涂胶——均匀性的影响原因(1);涂胶——均匀性的影响原因(2);软烘（SoftBake）;PostExposureBake;显影菜单（DNS5#）介绍;显影前烘焙（PostExposureBake）;驻波效应（StandingWave）;FootingandUndercut;显影（Develop）;坚膜（HardBake）;PR/HMDS影响;处理PR/HMDS造成的显影缺点的办法：

检查HMDS的流量是否正常，温度是否设置恰当，必要时，能够考虑试用不同厂家的HMDS

不同PR和显影液菜单的组合，对显影缺点的影响程度不一样，如PR20#菜单/DEV5#搭配与DEV10#菜单搭配对某些层次有不同的影响。如不同的搭配都