CN119852244A 混合键合结构的制备方法及半导体器件 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119852244A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510333003.5

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人陶磊

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师成亚婷

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L23/528(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

混合键合结构的制备方法及半导体器件

(57)摘要

CN119852244A本发明提供了一种混合键合结构的制备方法及半导体器件，方法包括：提供至少两个待键合结构，所述待键合结构的顶部包括电介质层，以及沿垂直所述电介质层顶面的第一方向贯穿所述电介质层的金属引出结构；执行第一化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的顶面凸出于所述电介质层的顶面；执行第二化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的两端与所述电介质层的顶面齐平，并使得所述金属引出结构的顶面形成碟形凹陷；对所述电介质层的顶面以及所述