硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法.docxVIP

ICS29.045H80

中华人民共和国国家标准

GB／T4061—2009代替GB4061—1983

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

polycrystallinesilicon-examinationmethod-assessmentof

sandwichesoncross-sectionbychemicalcorrosion

2009-10-30发布2010-06-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会

发

布

Ⅰ

GB／T4061—2009

前言

本标准代替GB4061—1983《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。

本标准与原标准相比，主要有如下改动：

—增加了“术语”、“试剂与器材”；

—增加了“检验报告”内容；

—对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司。

本标准主要起草人：袁金满。

本