GaAsSi（100）和GaAsSi（100）4异质外延的比较研究论文研究资料电子版下载.pdfVIP

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GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100）4异质外延的比较

研究

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冯建友，任晓敏，黄永清，黄辉，王琦，熊德平，吕吉贺，周静，王飞华

1)（北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室，北京100876）

2）（北京邮电大学继续教育学院，北京100876）

E-mail：fengjianyou@

摘要：采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）在Si衬底上外延生长GaAs层，对比了晶

向为（100）面无偏角和（100）面向[011]方向偏4º的Si衬底,并对外延层进行了X射线双

晶衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）分析，发现在衬底晶向为（100）