H2S在GaN0001表面吸附和分解反应的密度泛函理论研究论文研究资料电子版下载.pdfVIP

HS在GaN(0001)表面吸附和分解反应的密度泛函理

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论研究1

胡春丽，李俊篯，陈勇

福州大学化学系，福州(350002)

E-mail：jqli@

摘要：本文采用密度泛函理论方法对HS分子在GaN(0001)表面的吸附和分解反应的过

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程进行了系统的研究。结果表明，H2S分子在清洁的GaN（0001）表面上吸附时，发生彻底

的分解，生成吸附的S原子和H原子;而不能形成稳定的H2S分子或HS分子片吸附物。整

个吸附分解过程释放出4.52ev热量且不需要克服能垒，这使得采用H2S在GaN表面形成表

面硫化物钝化层成为可能。

关键词：H2S；GaN（0001）表面；吸附；反应过程；密度泛函理论

中图分类号：O064

1.前言

以GaN为代表的第三代半导体，