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双沟道MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-08 发布于北京
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双沟道MOSFET技术手册.pdf

    2008年11月

    FDS9958_F085

    ®

    双P沟道PowerTrench

    MOSFET

    ‑60V，‑2.9A，105毫欧

    特性概述

    ◼最大r=105m（V=‑10V,

    I=‑2.9A时）这些P沟道逻辑电平指定MOSFET采用飞兆先进的

    DS(on)GSD

    ®

    ◼最大导通电阻

    =135m在

    V

    =‑4.5V、I

    =‑2.5A

    PowerTrench工艺制造，该工艺经过特殊优化，可最度降

    条件下

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