《极管、三极管》课件.pptxVIP

二极管与三极管半导体基础元器件：结构、原理与应用

Contents课程目录01半导体物理基础02二极管原理与特性03二极管的典型应用04三极管原理与特性05三极管电路与应用

CHAPTER01半导体物理基础从本征半导体到PN结：理解半导体器件的物理根基

SEMICONDUCTORPHYSICS本征半导体与杂质半导体半导体的导电性可通过掺杂精确调控：掺入五价元素形成以电子为多子的N型半导体，掺入三价元素形成以空穴为多子的P型半导体，这一机制是二极管和三极管制造的物理基础。INTRINSIC本征半导体纯净硅/锗晶体中，价电子通过共价键结合，常温下仅极少数电子获得热能跃迁为自由电子，同时产生等量空穴本征激发产生的电子-空穴对浓度极低，室温下硅的载流子浓度仅约1.5×101?/cm3，导电能力微弱1.5×101?/cm3室温载流子浓度EXTRINSICN型与P型半导体N型半导体：掺入磷/砷等五价元素，多余价电子成为自由电子，电子为多数载流子、空穴为少数载流子P型半导体：掺入硼/镓等三价元素，形成大量空穴，空穴为多数载流子、电子为少数载流子掺杂浓度通常在101?~101?/cm3范围，相比本征浓度提升了5~8个数量级，导电性显著增强10?~10?×载流子浓度提升倍数

SEMICONDUCTORPHYSICSPN结的形成与单向导电性PN结由P型和N型半导体接触形成，内建电场与扩散运动达