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基于CuInP_2S_6二维异质结偏压重构二极管的忆阻及光电探测性能研究.pdf

基于CuInP_2S_6二维异质结偏压重构二极管的忆阻及光电探测性能研究.pdf

    摘要

    随着光电子集成电路、物联网和自动化等新兴技术的飞速发展，光电子器件的性能

    需求不断提升。其中，可重构器件能够在操作过程中动态调整其电路输出，为电子电路

    的多样化应用提供了极高的灵活性和高效的信息处理能力，成为众多电子器件中的佼佼

    者。同时，由于二维范德华（vdW）界面具有原子级锐利界面和天然的无晶格失配特性，

    基于vdW结构的二维器件展现出超越传统三维材料体系集成微电子器件的潜力。因此，

    基于二维材料的可调谐特性器件发展迅速。为了进一步提升二维光电器件的性能，多种

    调制方法应运而生，包括混

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