第三代半导体封装用AMB陶瓷基板：氮化硅与氮化铝活性金属钎焊的竞争.docxVIP

PAGE2

第三代半导体封装用AMB陶瓷基板：氮化硅与氮化铝活性金属钎焊的竞争

本报告说明

本报告聚焦第三代半导体功率模块封装用活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板赛道，核心议题是氮化硅（Si?N?）AMB与氮化铝（AlN）AMB两条技术路线的竞争格局。报告以SiC器件对封装基板热导率、抗弯强度、可靠性的严苛要求为出发点，对比分析国际厂商罗杰斯（Rogers）、贺利氏（Heraeus）与国内厂商博敏电子等代表性企业的技术路线、产品布局与市场策略。

报告共分八章。第一章交代分析背景、方法与竞争者范围；第二章扫描宏观与行业环境；第三章研判市场规模与竞争格局；第四章对头部、挑战者、追随者及潜在进入者