2026年半导体物理期末试卷(含答案）.docx

2026年半导体物理期末试卷(含答案）

一、填空题（共10空，每空2分，共20分）

1.硅晶体的晶格结构为____，其室温（300K）下的晶格常数为0.543nm，导带底位于布里渊区100方向的____位置，价带顶位于布里渊区的____位置。

答案：金刚石型结构；Δ能谷；Γ点

2.室温下本征硅的载流子浓度ni为1.5×10^10cm^-3，当掺入浓度为1×10^16cm^-3的施主杂质磷时，平衡多子浓度n0≈____cm^-3，此时费米能级的位置相较于本征费米能级Ei向____方向偏移。

答案：1×10^16；导带底（或上）

3.半导体中载流子的散射机制中，低温下主导散射类型为____，室