一维Te及其范德华异质结光电器件的性能研究.pdf

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摘要

超灵敏和宽带偏振光电探测器在成像和加密通信领域引起了人们的极大兴趣,对于

发展下一代智能感知系统、量子通信网络和片上集成光子芯片具有重大战略意义。具有

高迁移率范德华p型半导体被认为是有前景的材料。然而,目前兼具高迁移率和高探测

度的p型一维/二维(1D/2D)光电晶体管却相对较少。此外,将一维纳米线或纳米带与

二维层状材料组合形成的异质结,因具备特殊的物理性质与结构设计的灵活性,在构建

高灵敏度、宽谱响应及偏振敏感光电探测器方面具有突出优势。该混合维异质结可借助

1D材料的高比表面积和2D

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