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芯片制造中极紫外光刻（EUV）技术的国产化路径

一、引言：EUV光刻技术的战略地位与国产化紧迫性

极紫外光刻技术是当前芯片制造领域实现7nm及以下先进制程的核心支撑技术，其利用13.5nm的极紫外光作为光源，突破了传统深紫外光刻（DUV）技术的分辨率极限，成为全球半导体产业竞争的制高点。目前，全球EUV光刻机市场被海外少数企业垄断，国内高端芯片制造长期面临“卡脖子”困境，不仅制约了国内半导体产业的升级，更对国家信息安全构成潜在威胁（中国半导体行业协会，2023）。近年来，随着我国半导体产业自主创新战略的推进，EUV技术的国产化已经成为行业共识与核心任务。本文将从EUV技术的核心壁垒、国内研发现状、国产化具体路径等方面展开论述，为推动我国EUV技术自主可控提供参考。

二、EUV光刻技术的核心壁垒与国产化战略意义

（一）EUV光刻技术的核心技术构成与难点

EUV光刻系统是一个集光学、材料、精密机械、电子控制等多学科于一体的复杂系统，其核心技术难点主要集中在光源、光刻胶、物镜与掩膜版四大领域。首先是EUV光源技术，由于13.5nm的极紫外光无法透过传统光学玻璃，只能通过多层膜反射镜进行传导与聚焦，因此光源的功率与稳定性直接决定了光刻的效率与精度。目前量产型EUV光源采用激光等离子体技术，需要用高功率CO?激光持续轰击锡靶产生等离子体，从而发射极紫外光，该过程要求激光功率达到250W以上，