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第三代半导体在6G通信太赫兹频段器件中的前瞻性布局与技术储备

摘要

本报告聚焦第三代半导体在6G太赫兹通信射频器件领域的战略布局与技术储备，系统研判GaN、SiC等宽禁带材料从5G向6G演进中的核心价值。

6G通信将频段推升至100GHz至3THz的太赫兹窗口，传统硅基芯片因物理极限难以为继。报告指出，GaN-on-SiCHEMT器件在D波段（110-170GHz）已实现输出功率密度超5W/mm，功率附加效率（PAE）达30%以上，成为134GHz-220GHz频段发射前端最具竞争力的技术路线。

在竞争格局层面，美国Wolfspeed、Qorvo与日本住友电工形成第一阵营，中国企业如三安集成、中电科十三所正加速追赶，但外延材料自给率不足40%构成核心瓶颈。报告预测，全球6G氮化镓射频器件市场规模将从2028年的4.1亿美元攀升至2035年的37.8亿美元，年复合增长率达37.2%。

投资机会集中在GaN-on-SiC外延片、太赫兹MMIC设计、异质异构集成三大环节。风险方面，需警惕技术路线分化（如InPHBT的竞争）与地缘政治影响下的设备禁运风险。报告建议，企业应优先布局D波段GaN器件工程化，并储备H波段（220-325GHz）GaN与InP异构集成技术。

第一章行业概况与研究框架

1.1技术定义与器件分类

本报告所研究的“第三代半导体”特指以氮化镓（G