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mstar晨星2013校园招聘笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、专业知识部分

1.在半导体PN结中，当外加正向电压时，下列说法正确的是：

A.P区电势高于N区，多数载流子扩散运动增强

B.P区电势低于N区，少数载流子扩散运动增强

C.P区电势高于N区，少数载流子漂移运动增强

D.P区电势低于N区，多数载流子漂移运动增强

2.如下图所示电路（此处无图），已知R1=1kΩ,R2=2kΩ,R3=3kΩ,U=10V,则电阻R3两端的电压Vab为：

A.3V

B.4V

C.5V

D.6V

3.对于一个理想运算放大器构成的反相比例放大电路，输入电阻和输出电阻分别约为：

A.很大，很小

B.很大，很大

C.很小，很小

D.很小，很大

4.已知信号x(t)的傅里叶变换为X(jω)，则信号y(t)=x(t)cos(ω?t)的傅里叶变换Y(jω)在频域上表现为：

A.X(jω)

B.X(j(ω-ω?))

C.X(j(ω+ω?))

D.?[X(j(ω-ω?))+X(j(ω+ω?))]

5.在半导体器件制造过程中，以下哪个工艺步骤通常用于形成器件的隔离结构